可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識(shí)中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來(lái)講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)級(jí)承受哪種電壓，可控硅模塊都會(huì)處于斷開(kāi)狀態(tài)。

2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)極電壓時(shí)，可控硅在門(mén)級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。

3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，只需要有一定的正極電壓，不管門(mén)極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通，如果可控硅導(dǎo)通后，門(mén)極將失去其功能。

4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí)，可控硅模塊關(guān)斷。淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！濱州雙向可控硅模塊

可控硅模塊的分類(lèi)可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。濱州雙向可控硅模塊淄博正高電氣有限公司品牌價(jià)值不斷提升。

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。由門(mén)級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流，即高于電流IL?？煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽(yáng)極電壓。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您

接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆，陰極接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。淄博正高電氣有限公司與廣大客戶(hù)攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類(lèi)似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類(lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形。淄博正高電氣有限公司得到市場(chǎng)的一致認(rèn)可。濱州雙向可控硅模塊

淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。濱州雙向可控硅模塊

公司從事可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器，本公司擁有專(zhuān)業(yè)的品質(zhì)管理人員。專(zhuān)業(yè)經(jīng)營(yíng)范圍涉及：可控硅模塊,晶閘管模塊,晶閘管智能模塊,可控硅集成模塊,晶閘管集成模塊,可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,固態(tài)繼電器,智能可控硅調(diào)壓模塊,晶閘管調(diào)壓模塊,可控硅模塊廠家,可控硅智能調(diào)壓模塊,移相觸發(fā)板,調(diào)壓模塊,晶閘管智能調(diào)壓模塊,單相觸發(fā)板等，為了加強(qiáng)自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，引進(jìn)了先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及代理于一體，實(shí)行多元化的創(chuàng)新經(jīng)營(yíng)方式。隨著電子元器件行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，市場(chǎng)日趨飽和，粗放式管理的缺陷日益暴露，導(dǎo)致電子元器件行業(yè)企業(yè)利潤(rùn)不同程度的下滑，要想滿足行業(yè)內(nèi)客戶(hù)個(gè)性化的需求，適應(yīng)未來(lái)的發(fā)展，就需要不斷提升提高企業(yè)自身管理水平以及鍵詞競(jìng)爭(zhēng)力。近年來(lái)，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷發(fā)展、消費(fèi)電子產(chǎn)品制造水平提高和居民收入水平增加等因素的驅(qū)動(dòng)下，電子元器件行業(yè)呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。未來(lái)隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、新型顯示等新興技術(shù)與消費(fèi)電子產(chǎn)品的融合，這會(huì)使得電子元器件行業(yè)需求量持續(xù)增加，同樣帶動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。近幾年順應(yīng)國(guó)家信息化企業(yè)上云、新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換、互聯(lián)網(wǎng)+、經(jīng)濟(jì)政策等號(hào)召，通過(guò)大數(shù)據(jù)管理，充分考慮到企業(yè)的當(dāng)前需求及未來(lái)管理的需要不斷迭代，在各電子元器件行業(yè)內(nèi)取得不俗成績(jī)。企業(yè)在結(jié)合現(xiàn)實(shí)提供出解決方案同時(shí)，也融入世界管理先進(jìn)管理理念，幫助企業(yè)建立以客戶(hù)為中心的經(jīng)營(yíng)理念、組織模式、業(yè)務(wù)規(guī)則及評(píng)估體系，進(jìn)而形成一套整體的科學(xué)管控體系。從而更進(jìn)一步提高企業(yè)管理水平及綜合競(jìng)爭(zhēng)力。濱州雙向可控硅模塊

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