「半導(dǎo)體專題講座」芯片測(cè)試（Test）

4. 電氣參數(shù)與過程參數(shù)的聯(lián)動(dòng)

電氣參數(shù)中重要的參數(shù)是電流（其次依次為門檻電壓、切換時(shí)間）.例如，如果我們研究驅(qū)動(dòng)電流與過程變量的關(guān)聯(lián)關(guān)系，技術(shù)升級(jí)（ex.12納米到7納米）意味著線寬細(xì)化（這意味著澆口的長(zhǎng)度/寬度和通道的長(zhǎng)度/寬度縮?。?，這意味著必須縮小通道截面積（相對(duì)于長(zhǎng)度而言，截面積影響更大），即電子在源端和直通端之間的通道。當(dāng)過程變量縮小時(shí)，漏極電流（Id）就會(huì)減少，所以重新設(shè)置縮小漏極電流的Spec Limit以適應(yīng)線寬。在這種情況下，如果需要維持一定的電流值，而不能根據(jù)工藝變量調(diào)整電參數(shù)值或相反地減小值，則需要調(diào)整工藝變量的濃度變量，以提高源/進(jìn)端子形成時(shí)離子注入過程的陽(yáng)離子度量。與電流一樣，電容值或電阻值與電壓相關(guān)，也會(huì)得到反饋的DC/AC測(cè)量值，以重新調(diào)整過程變量或重新設(shè)定規(guī)格的極限值。因此，電氣參數(shù)值與過程變量緊密相關(guān)。關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道 (5)擴(kuò)散(Diffusion) 工藝?；葜?8FBGA-0.8P導(dǎo)電膠

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測(cè)試（Test）

在半導(dǎo)體后工序中進(jìn)行的測(cè)試（Test）是指通過電氣特性（ElectricalCharacteristics）檢查，防止芯片（Chip）的不良進(jìn)入下一道工序，從而將損失降至比較低的過程。初的測(cè)試對(duì)批量生產(chǎn)的產(chǎn)品進(jìn)行不良（長(zhǎng)久錯(cuò)誤）的過濾為主，但目前其作用逐漸擴(kuò)大，如提前杜絕可靠性不良、提高良率、降低成本、幫助產(chǎn)品研發(fā)等。本文我們將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體的測(cè)試工藝。

1. 半導(dǎo)體測(cè)試工藝FLOW

半導(dǎo)體測(cè)試工藝FLOW為驗(yàn)證每道工序是否正確執(zhí)行半導(dǎo)體將在室溫（25攝氏度）下進(jìn)行測(cè)試。

測(cè)試主要包括Wafer Test、封裝測(cè)試、 模組測(cè)試。江蘇導(dǎo)電膠按需定制關(guān)于半導(dǎo)體工藝，這點(diǎn)你要知道：（2）氧化（Oxidation）工藝。

「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體？這點(diǎn)應(yīng)該知道：（8）Wafer測(cè)試&打包工程

封裝（Packaging）工藝？

如果將封裝（Packaging）工藝進(jìn)一步細(xì)分，可以分為封裝工藝和封裝測(cè)試工藝。半導(dǎo)體芯片作為電子設(shè)備的組件，必須安裝在必要的位置，因此必須封裝成合適的形狀。確保外部電源和輸入輸出信號(hào)電流流動(dòng)，并確保半導(dǎo)體芯片不受外部影響。

封裝工藝的八個(gè)步驟

圓晶片變成小半導(dǎo)體芯片會(huì)經(jīng)歷各種各樣的過程，那我們?cè)賮?lái)了解一下封裝過程中的各個(gè)過程吧？

Burn-in Board（測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件——探針

RollingPinandFingerPin此探針可解決一般探針的電性問題，提高接觸壽命，以及減少沾錫狀況所發(fā)生的電抗問題。革恩半導(dǎo)體使用的rollingpin不同于一般rollingpinsocket使用塑料制成，我們采用全金屬制造，此做法可提供更電性及散熱需求，以及大幅降低IC以及LoadBoard的刮傷。並且已有年多的實(shí)際應(yīng)用。

革恩業(yè)務(wù)領(lǐng)域：

1. 測(cè)試設(shè)備

01. 基于英特爾平臺(tái)開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試

02. 基于MTK平臺(tái)開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備

2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針測(cè)試存儲(chǔ)設(shè)備的大小和測(cè)試數(shù)量，還可以測(cè)試可讀和寫的速度。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝，這點(diǎn)你要知道：（2）氧化（Oxidation）工藝

上節(jié)給大家介紹了半導(dǎo)體八大工序中的道工序“晶圓工序”。小編就給大家介紹一下這樣辛苦制作的保護(hù)晶圓表面的工藝——“氧化工藝”。

1、什么是氧化工藝？

首先要知道氧化工藝是什么意思吧？所謂“氧化工藝”，是指在硅（Si）基片上提供氧化劑（水（H2O）、氧（O2））和熱能，形成二氧化硅（SiO2）膜的工藝。此時(shí)形成的氧化膜不僅可以防止電路和電路之間的泄漏電流流動(dòng)，還可以起到防止離子注入工序擴(kuò)散的作用，以及防止蝕刻工序中錯(cuò)誤地被蝕刻的防蝕刻膜的作用。就像這樣可以得到各種各樣的保護(hù)晶片。如果你對(duì)“氧化”的理解有困難，可以考慮鐵（Fe）生銹的現(xiàn)象。導(dǎo)電膠內(nèi)存測(cè)試墊片，ddr測(cè)試導(dǎo)電膠,芯片導(dǎo)電膠,導(dǎo)電膠測(cè)試底座,專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)廠?；葜?8FBGA-0.8P導(dǎo)電膠

半導(dǎo)體在晶片狀態(tài)下完成后不會(huì)直接封裝，這會(huì)造成很大問題，因?yàn)樵诎b好的產(chǎn)品會(huì)參雜次品?；葜?8FBGA-0.8P導(dǎo)電膠

什么是探針（又名Pogo針或彈簧探針）？

用于測(cè)試產(chǎn)品的探針

探針也被稱為pogo針或彈簧探針。它旨在測(cè)試兩個(gè)電路板與待測(cè)設(shè)備或設(shè)備之間的連接。高性能應(yīng)用需要非常精確的探針設(shè)計(jì)。

找到一個(gè)低穩(wěn)定的電阻或長(zhǎng)壽命的彈簧探頭

無(wú)論是進(jìn)行工程測(cè)試還是批量生產(chǎn)測(cè)試，對(duì)于確保它們?cè)诙喾N條件下順利運(yùn)行至關(guān)重要。如果對(duì)探針解決方案感興趣，無(wú)論是小批量還是大量，都可以解決。

革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)惠州78FBGA-0.8P導(dǎo)電膠

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司位于深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道桃源社區(qū)臣田航城工業(yè)區(qū)A1棟305南邊，是一家專業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司。GN是深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司的主營(yíng)品牌，是專業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司，擁有自己的技術(shù)體系。公司以用心服務(wù)為重點(diǎn)價(jià)值，希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力，將革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測(cè)試設(shè)備01. 基于英特爾平臺(tái)開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺(tái)開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺(tái)測(cè)試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測(cè)試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測(cè)試燒入機(jī)）測(cè)試儀器配件－導(dǎo)電膠、測(cè)試座子、探針04.DDR測(cè)試、導(dǎo)電膠芯片測(cè)試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋芯片導(dǎo)電膠測(cè)試墊片，DDR測(cè)試、LPDDR測(cè)，內(nèi)存測(cè)試儀器，內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測(cè)試，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。